產品概述：

●該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之ー，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝。

●水平管式爐的設計考慮了硅片生產的多種工藝性能需要，具有生長效率高、產品性能優越的特點。

●具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優點。

●主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。

產品特點：

●高潔凈度：包括材料、工藝環境等

●高精度：包括爐內溫度、進氣流量、排氣壓力、運動控制等

●高安全性：包括氣體泄漏檢測、氣流檢測、人機互鎖等

技術指標：

●晶片類型：2-8英寸晶圓 ●工作溫度范圍：800℃-1150℃

●恒溫區長度：≥860mm ●可根據客戶要求定制產品

應用范圍：

廣泛用于半導體材料的氧化處理，也可用于推阱、退火、合金、摻雜等工藝。